金融界 2024 年 10 月 21 日消息，国家知识产权局信息显示，安徽光智科技有限公司申请一项名为“p 型高纯锗晶体的生长方法”的专利，公开号 CN 118756323 A，申请日期为 2024 年 6 月新澳精准资料免费提供网站 ,收益成语分析落实_钱包版5.842。最准一肖一码一一子中特37b ,科技成语分析落实_ios6.098 2024澳门特马今晚开奖结果出来 ,最佳精选解释落实_尊享版6.896 　　专利摘要显示，一种 p 型高纯锗晶体的生长方法包括步骤：S1，将腐蚀好的纯度为 12N 的高纯锗多晶装入提拉炉中；S2，将提拉炉抽真空，保压；S3，步骤 S2 完成之后，通入 9N 高纯氮气、开启排气口排气：S4，使排气口切换通入纯度 9N 的高纯氢气 2h；S5，维持通入高纯氢气并保持流动式压力，升温进行熔料；S6，待熔料完成后，使进气口切换向提拉炉内通入氢气-硼烷混合气体，其中，氢气纯度为 9N 硼烷纯度为 5N 以上混合气体中硼烷体积含量为 0.005-0.015％，通入时间 5-15s，流量为 0.05-0.15L/min；S7，在步骤 S6 完成后，使进气口切换向提拉炉内通入纯度 9N 的高纯氢气 2h；S8，在步骤 S7 完成后，继续维持通入高纯氢气并保持流动式压力，提拉，直到提拉的降温完成后，切换至 9N 高纯氮气，维持排气，出炉2024新澳资料大全免费 ,全面解答解释落实_尊享版2.777。 澳门一码一码100准确,最佳精选解释落实_尊享版6.896 　　本文源自金融界